科学研究:
研究方向:
研究方向为射频(RF)/微波(MW)器件与射频(RF)/微波(MW)集成电路,微电子器件与集成电路可靠性。
承担科研项目情况:
国家自然科学基金课题,北京市自然科学基金,北京市教委科技发展项目,北京市属市管高等学校人才强教计划项目,武器装备部基金课题,北京市跨世纪优秀人才基金等课题。
科研成果:
荣获省部级奖两项,国防科工委鉴定项目1项,出版译著3部,在国内外学术期刊和会议上发表论文百余篇,SCI、EI、ISTP收录近75余篇次,据不完全统计,被国内外学者引用八十多篇次。
发明专利:
[1]张万荣,张昭,谢红云,金冬月,张思佳,万禾湛,王飞虎. 一种射频压控有源电感[P]. CN111478680A,2020-07-31.
[2]那伟聪,孙语棠,罗琪,张万荣,谢红云,金冬月. 一种结合先进自适应采样和人工神经网络的微波器件自动建模方法[P]. CN111460734A,2020-07-28.
[3]张万荣,张思佳,谢红云,金冬月,万禾湛,张昭. 一种射频电感电路[P]. CN111446930A,2020-07-24.
[4]金冬月,王利凡,张万荣,陈蕊,郭燕玲,郭斌,陈虎. 具有高特征频率-击穿电压优值的SOI SiGe异质结双极晶体管[P]. CN108010962B,2020-06-19.
[5]张万荣,杨坤,谢红云,金冬月,吕晓强,王娜,温晓伟,郭燕玲,孙丹,陈吉添,黄鑫. 一种高Q值、电感值可粗调细调的宽频带有源电感[P]. CN107124157B,2020-05-08.
[6]孙晟,金冬月,张万荣,吴玲,曹路明,贾晓雪. 一种等温分布的介质槽隔离结构SiGeHBT阵列[P]. CN111081702A,2020-04-28.
[7]那伟聪,张万荣,谢红云,金冬月. 一种应用于微波器件的新型深层神经网络自动建模方法[P]. CN110765704A,2020-02-07.
[8]金冬月,吴玲,张万荣,那伟聪,孙晟,杨绍萌. 一种掺杂浓度可调的横向SiGe异质结双极晶体管[P]. CN110556420A,2019-12-10.
[9]金冬月,郭斌,张万荣,那伟聪,陈蕊,杨邵萌. 等温共发射区横向SiGe异质结双极晶体管[P]. CN110310984A,2019-10-08.
[10]谢红云,刘芮,高杰,吴佳辉,马佩,张万荣. 一种具有行波电极的硅基波导型光敏晶体管探测器[P]. CN107946383B,2019-09-03.
[11]谢红云,刘先程,沙印,郭敏,马佩,张万荣. 一种SOI基SiGe双异质结光敏晶体管探测器[P]. CN110047969A,2019-07-23.
[12]谢红云,吴佳辉,刘芮,孙丹,马佩,高杰,张万荣. 基区Ge组分分段分布的SiGe/Si异质结光敏晶体管探测器[P]. CN107302037B,2019-05-17.
[13]金冬月,郭斌,张万荣,陈蕊,王利凡,陈虎,贾晓雪. 具有低温度敏感性的SOI SiGe异质结双极晶体管[P]. CN109742138A,2019-05-10.
[14]谢红云,孙丹,张良浩,刘硕,张万荣. 超宽带双重增益控制电路[P]. CN106208997B,2019-04-12.
[15]张万荣,徐曙,谢红云,金冬月,张崟,杨鑫. 一种可工作在Ku波段的有源电感[P]. CN109450404A,2019-03-08.
[16]金冬月,赵馨仪,张万荣,郭燕玲,陈蕊,王利凡. 高热稳定性超结应变Si/SiGe异质结双极晶体管[P]. CN106169498B,2019-03-05.
[17]张万荣,张崟,谢红云,金冬月,徐曙,杨鑫,张昭. 一种射频电感电路[P]. CN109412553A,2019-03-01.
[18]张万荣,温晓伟,谢红云,金冬月,陈鹏辉,黄鑫,陈吉添,刘亚泽,吕晓强,王娜,杨坤,孙丹,郭燕玲. 低功耗三频带低噪声放大器[P]. CN106301237B,2019-02-15.
[19]张万荣,杨鑫,谢红云,金冬月,徐曙,张崟,张昭. 一种宽频带、大电感值、高Q值且Q值可独立调节的有源电感[P]. CN108900175A,2018-11-27.
[20]张万荣,黄建程,谢红云,金冬月,董小乔,王家宁,张昭. 一种射频集成有源电感[P]. CN108768342A,2018-11-06.
[21]金冬月,王利凡,张万荣,陈蕊,郭燕玲,郭斌,陈虎. 具有高特征频率-击穿电压优值的SOI SiGe异质结双极晶体管[P]. CN108010962A,2018-05-08.
[22]谢红云,刘芮,高杰,吴佳辉,马佩,张万荣. 一种具有行波电极的硅基波导型光敏晶体管探测器[P]. CN107946383A,2018-04-20.
[23]谢红云,吴佳辉,刘芮,孙丹,马佩,高杰,张万荣. 基区Ge组分分段分布的SiGe/Si异质结光敏晶体管探测器[P]. CN107302037A,2017-10-27.
[24]谢红云,马佩,刘硕,高杰,吴佳辉,刘芮,张万荣. 具有本征层结构的InGaAs/InP光敏晶体管红外探测器[P]. CN107240616A,2017-10-10.
[25]张万荣,杨坤,谢红云,金冬月,吕晓强,王娜,温晓伟,郭燕玲,孙丹,陈吉添,黄鑫. 一种高Q值、电感值可粗调细调的宽频带有源电感[P]. CN107124157A,2017-09-01.
[26]张万荣,温晓伟,谢红云,金冬月,陈鹏辉,黄鑫,陈吉添,刘亚泽,吕晓强,王娜,杨坤,孙丹,郭燕玲. 低功耗三频带低噪声放大器[P]. CN106301237A,2017-01-04.
[27]谢红云,孙丹,张良浩,刘硕,张万荣. 超宽带双重增益控制电路[P]. CN106208997A,2016-12-07.
[28]金冬月,赵馨仪,张万荣,郭燕玲,陈蕊,王利凡. 高热稳定性超结应变Si/SiGe异质结双极晶体管[P]. CN106169498A,2016-11-30.
[29]张万荣,刘亚泽,谢红云,金冬月,陈吉添,黄鑫,邓蔷薇,王忠俊,赵彦晓,刘硕,赵馨仪. 一种高Q值、电感值与工作频率范围可调谐的有源电感[P]. CN105680822A,2016-06-15.
[30]谢红云,刘硕,张良浩,孙丹,张万荣. 一种SiGe/Si异质结光敏晶体管探测器[P]. CN105226129A,2016-01-06.
[31]张万荣,刘鹏,谢红云,金冬月,赵彦晓. 三个负跨导放大器构成的大电感值、高Q值可调节有源电感[P]. CN105207664A,2015-12-30.
[32]张万荣,王忠俊,谢红云,金冬月,赵彦晓,黄鑫,邓蔷薇. 一种宽频带、高Q值有源电感[P]. CN105071784A,2015-11-18.
[33]张万荣,陈吉添,谢红云,金冬月,邓蔷薇,黄鑫,赵彦晓,刘亚泽,刘硕,金子超,赵馨仪. 采用负阻结构的宽频带、高Q值、可调谐的有源电感[P]. CN104980125A,2015-10-14.
[34]赵彦晓,张万荣,黄鑫,谢红云,邓蔷薇,金冬月. 线性化的晶体管合成电感[P]. CN104953984A,2015-09-30.
[35]张万荣,黄鑫,谢红云,金冬月,赵彦晓,金子超,陈吉添,刘亚泽,刘硕,赵馨仪. 一种射频有源电感[P]. CN104917488A,2015-09-16.
[36]赵彦晓,张万荣,张良浩,谢红云,黄鑫,邓蔷薇,金冬月. 晶体管合成电感[P]. CN104898761A,2015-09-09.
[37]张万荣,陈鹏辉,金冬月,谢红云,赵飞义,邓蔷薇. 一种低功耗超宽带低噪声放大器[P]. CN104660185A,2015-05-27.
[38]谢红云,张良浩,刘硕,张万荣,赵飞义,邓蔷薇,江之韵. 超宽带可变增益放大器[P]. CN104362987A,2015-02-18.
[39]张万荣,邓蔷薇,金冬月,谢红云,赵飞义. 基于有源电感的可重配置超宽带低噪声放大器[P]. CN104242830A,2014-12-24.
[40]金冬月,王肖,张万荣,付强,陈亮,胡瑞心,鲁东. 超结集电区SiGe异质结双极晶体管[P]. CN104091825A,2014-10-08.
[41]张万荣,赵飞义,陈昌麟,江之韵,胡瑞心,赵彦晓. 全差分式浮地有源电感[P]. CN104009722A,2014-08-27.
[42]张万荣,陈昌麟,赵飞义,卓汇涵,白杨. 高Q值可调谐差分式有源电感[P]. CN103956986A,2014-07-30.
[43]金冬月,胡瑞心,张万荣,王肖,付强,鲁东. 超结集电区应变硅异质结双极晶体管[P]. CN103943670A,2014-07-23.
[44]赵彦晓,张万荣,谢红云,高栋,赵飞义. 可小型化设计的电感[P]. CN103905012A,2014-07-02.
[45]赵彦晓,张万荣,谢红云,高栋,赵飞义. 宽带低噪声放大器[P]. CN103888083A,2014-06-25.
[46]霍文娟,谢红云,江之韵,张良浩,张万荣. 基区渐变的单向载流子传输的双异质结光敏晶体管探测器[P]. CN103545398A,2014-01-29.
[47]江之韵,谢红云,张良浩,霍文娟,张万荣. 行波电极渐变耦合脊波导InP双异质结光敏晶体管[P]. CN103545399A,2014-01-29.
[48]张万荣,丁春宝,谢红云,金冬月,陈亮,付强,赵彦晓,高栋,鲁东,周孟龙,张卿远,邵翔鹏,霍文娟. 小面积、线性度可调谐的高线性低噪声放大器[P]. CN103546104A,2014-01-29.
[49]张万荣,周孟龙,谢红云,金冬月,丁春宝,赵彦晓,陈亮,付强,高栋,鲁东,张卿远,邵翔鹏,霍文娟. 高Q值超宽带可调谐有源电感[P]. CN103546119A,2014-01-29.
[50]张万荣,高栋,谢红云,金冬月,丁春宝,赵彦晓,陈亮,付强,鲁东,周孟龙,张卿远,邵翔鹏,霍文娟. 具有大电感值、高Q值的新型可调有源电感[P]. CN103532517A,2014-01-22.
[51]金冬月,胡瑞心,张万荣,鲁东,付强,王肖. 超宽温区高热稳定性微波功率SiGe异质结双极晶体管[P]. CN103441141A,2013-12-11.
[52]金冬月,张万荣,谢红云,陈亮,胡宁,肖盈,王任卿. 高热稳定性功率异质结双极晶体管[P]. CN201508838U,2010-06-16.
[53]金冬月,张万荣,谢红云,陈亮,胡宁,肖盈,王任卿. 高热稳定性功率异质结双极晶体管[P]. CN101656267,2010-02-24.
[54]甘军宁,鲁俊杰,张万荣,贾宝敦. 智能安全键盘[P]. CN201111222,2008-09-03.
论文专著:
发表期刊论文:
[1]万禾湛,张万荣,谢红云,金冬月,那伟聪,张思佳,张昭.一种采用LC谐振电路的高频差分有源电感[J/OL].微电子学:1-5[2020-10-26].https://doi.org/10.13911/j.cnki.1004-3365.200212.
[2]金冬月,陈虎,王佑,张万荣,那伟聪,郭斌,吴玲,杨绍萌,孙晟.基于工艺偏差的电压调控磁各向异性磁隧道结电学模型及其在读写电路中的应用[J].物理学报,2020,69(19):354-364.
[3]马佩,谢红云,沙印,向洋,陈亮,郭敏,刘先程,张万荣.光窗口对SiGe/Si异质结光电晶体管光响应的影响[J].光子学报,2020,49(08):129-138.
[4]杨鑫,张万荣,谢红云,金冬月,张崟,徐曙,那伟聪.采用全差分有源电感的高优值VCO[J].微电子学,2020,50(01):27-31.
[5]刘先程,马佳俊,谢红云,马佩,陈亮,郭敏,张万荣.Effects of buried oxide layer on working speed of SiGe heterojunction photo-transistor[J].Chinese Physics B,2020,29(02):529-533.
[6]谢红云,郭敏,马佳俊,高杰,陈亮,马佩,刘先程,张万荣.渐变耦合脊波导晶体管探测器光响应分析[J].光子学报,2019,48(12):14-20.
[7]胡冬青,张万荣.基于解决“复杂工程问题”能力培养的半导体器件设计课程教学反思[J].电子世界,2019(23):67-68.
[8]谢红云,张万荣.微电子工艺多元混合教学模式探究[J].电子世界,2019(23):37-38.
[9]徐曙,张万荣,谢红云,金冬月,那伟聪,张崟,杨鑫.一种电感值可独立调节的低噪声有源电感[J].微电子学,2020,50(02):272-275+280.
[10]张崟,张万荣,谢红云,金冬月,那伟聪,徐曙,杨鑫.一种高Q值且频带可独立调谐的差分有源电感[J].微电子学,2020,50(02):248-252.
[11]陈蕊,金冬月,张万荣,王利凡,郭斌,陈虎,殷凌寒,贾晓雪.Thermal resistance matrix representation of thermal effects and thermal design of microwave power HBTs with two-dimensional array layout[J].Chinese Physics B,2019,28(09):383-390.
[12]崔碧峰,张万荣,胡冬青,刘榿,冯士维.工程教育背景下毕业设计评价体系研究[J].电气电子教学学报,2019,41(04):4-6.
[13]谢红云,刘芮,陈泉秀,吴佳辉,陈亮,马佩,高杰,张万荣.基于双重增益控制技术的超宽带可变增益放大器的设计与实现[J].北京工业大学学报,2019,45(07):646-653.
[14]唐彦,封志宏,王忠俊,王璞,海宁,张万荣.一种增益可调节的MB-LPC-LNA[J].微电子学,2019,49(02):188-192.
[15]黄建程,张万荣,谢红云,金冬月,董小乔,王家宁.一种Q值高且可独立调节的新型宽带有源电感[J].微电子学,2018,48(06):825-829.
[16]李雨佳,吴华强,高滨,化麒麟,张昭,张万荣,钱鹤.Impact of variations of threshold voltage and hold voltage of threshold switching selectors in 1S1R crossbar array[J].Chinese Physics B,2018,27(11):634-637.
[17]谢红云,吴佳辉,刘芮,高杰,马佩,张万荣.基于PIN二极管的动态信号反馈增益调控电路[J].北京工业大学学报,2018,44(11):1391-1395.
[18]谢红云,张万荣,金冬月,崔碧峰.基于OBE理念的开放交互实时地微电子工艺教学改进[J].电子世界,2018(21):65-66.
[19]赵彦晓,王亚飞,李振松,张万荣,丁红.一种高Q值高线性度SiGe HBT有源电感[J].微电子学,2018,48(03):344-347.
[20]温晓伟,张万荣,金冬月,谢红云,黄鑫,杨坤,吕晓强,王娜,孙丹,郭燕玲,杜成孝.一种采用噪声抵消及多重功耗优化技术的UWB-LNA[J].电子器件,2018,41(03):689-694.
[21]王娜,张万荣,谢红云,金冬月,陈吉添,吕晓强,杨坤,温晓伟,郭燕玲,孙丹,董小乔,杜成孝.一种双回转器有源电感[J].电子器件,2017,40(06):1378-1382.
[22]杨坤,张万荣,金冬月,谢红云,吕晓强,王娜,温晓伟,郭燕玲,孙丹,杜成孝.采用调制晶体管和双反馈回路的有源电感[J].微电子学,2017,47(05):630-634.
[23]刘硕,谢红云,孙丹,刘芮,吴佳辉,张万荣.双异质结单载流子传输光敏晶体管输出电流[J].红外与毫米波学报,2017,36(05):594-598.
[24]孙丹,谢红云,刘芮,刘硕,吴佳辉,张万荣.单载流子传输光敏晶体管小信号等效电路模型的建立与分析[J].光子学报,2017,46(11):55-61.
[25]刘亚泽,张万荣,金冬月,谢红云,陈吉添,黄鑫,刘硕,赵馨仪.一种高增益且可调谐的1~3GHz宽带LNA[J].微电子学,2017,47(03):341-346.
[26]吕晓强,张万荣,谢红云,金冬月,杨坤,王娜,温晓伟,杜成孝.基于有源网络和受控辅助电阻支路的有源电感[J].半导体技术,2017,42(06):436-440+447.
[27]陈吉添,张万荣,金冬月,谢红云,杜成孝,黄鑫,刘亚泽,刘硕,赵馨仪.一款增益可调且平坦的超宽带低噪声放大器[J].电子器件,2017,40(02):326-332.
[28]张万荣,黄鑫,金冬月,谢红云,陈吉添,刘亚泽,刘硕,赵馨仪,杜成孝.一种增益可多重调节的低功耗双频段低噪声放大器[J].北京工业大学学报,2017,43(04):566-573.
[29]王忠俊,张万荣,金冬月,谢红云,赵彦晓,邓蔷薇,黄鑫,刘鹏.一种采用有源电感的可调增益小面积超宽带低噪声放大器[J].电子器件,2017,40(01):55-60.
[30]刘鹏,张万荣,金冬月,谢红云,王忠俊,邓蔷薇,陈鹏辉,张良浩,王肖.一种电流舵结构大范围连续可变增益LNA[J].微电子学,2017,47(01):45-49.
[31]付强,张万荣,金冬月,赵彦晓,王肖.A technique for simultaneously improving the product of cutoff frequency–breakdown voltage and thermal stability of SOI SiGe HBT[J].Chinese Physics B,2016,25(12):312-317.
[32]陈鹏辉,张万荣,金冬月,谢红云,邓蔷薇,刘鹏,王忠俊,张良浩,王肖,赵彦晓.一种低功耗双频段低噪声放大器[J].微电子学,2016,46(04):437-440+444.
[33]金冬月,王肖,张万荣,高光渤,赵馨仪,郭燕玲,付强.具有高频高压大电流优值的超结集电区SiGe HBT[J].北京工业大学学报,2016,42(07):994-1000.
[34]邓蔷薇,张万荣,金冬月,谢红云,刘鹏,王忠俊,陈鹏辉,王肖,张良浩.采用有源电感的小面积宽可调范围VCO[J].微电子学,2016,46(03):364-368.
[35]赵彦晓,张万荣,谢红云,黄鑫,张良浩,金子超,付强.横向结构参数对SiGe HBT小信号模型参量的影响[J].北京工业大学学报,2016,42(04):508-512.
[36]赵彦晓,张万荣,黄鑫,谢红云,金冬月,付强.Effect of lateral structure parameters of SiGe HBTs on synthesized active inductors[J].Chinese Physics B,2016,25(03):438-443.
[37]张良浩,谢红云,赵彦晓,张万荣,江之韵,刘硕.采用PIN二极管反馈的射频可变增益放大器[J].电子学报,2016,44(01):206-210.
[38]祝雪菲,张万荣,万培元,王成龙,靳佳伟,史岩,马威,薛宝华.基于门控结构的低功耗扫描测试方案[J].电子器件,2015,38(06):1316-1320.
[39]谢红云,孙丹,张良浩,江之韵,刘硕,张万荣.单载流子传输双异质结光敏晶体管频率特性分析(邀请论文)[J].北京工业大学学报,2015,41(12):1878-1883.
[40]谢红云,张万荣,侯立刚,金冬月.集成电路设计大赛与实践能力培养[J].电子世界,2015(23):50-51.
[41]刘鹏,张万荣,金冬月,谢红云,王忠俊,邓蔷薇,张良浩,王肖,陈亮.用于5G-WiFi的可变增益有源巴伦LNA[J].微电子学,2015,45(05):585-589.
[42]金冬月,胡瑞心,张万荣,高光渤,王肖,付强,赵馨仪,江之韵.具有高电流增益-击穿电压优值的新型应变Si/SiGe HBT[J].北京工业大学学报,2015,41(09):1321-1325.
[43]祝雪菲,张万荣,万培元,林平分,王成龙,刘文斌.一种有效实现IC时序收敛的方法[J].微电子学,2015,45(04):474-478+483.
[44]王成龙,张万荣,万培元,祝雪菲,王树甫.一种UHF RFID标签低功耗物理设计与实现[J].固体电子学研究与进展,2015,35(03):253-258.
[45]邓蔷薇,张万荣,金冬月,谢红云,王忠俊,刘鹏,陈鹏辉,王肖,张良浩.兼有高Q值、高电感值、高线性度的新型全差分有源电感[J].电子器件,2015,38(03):489-494.
[46]白杨,张万荣,江之韵,胡瑞心,卓汇涵,陈昌麟,赵飞义.一种低抖动电荷泵锁相环的设计[J].电子器件,2015,38(03):516-520.
[47]付强,张万荣,金冬月,赵彦晓,张良浩.宽温区高热稳定性SiGe HBT的基区优化设计[J].北京工业大学学报,2015,41(05):686-692.
[48]卓汇涵,张万荣,靳佳伟,周永旺.一种低功耗宽频率调谐范围的伪差分环形VCO[J].半导体技术,2015,40(05):343-347.
[49]王成龙,张万荣,林平分,万培元,祝雪菲.深亚微米SOC电源网络设计与优化[J].固体电子学研究与进展,2015,35(02):171-175.
[50]陈昌麟,张万荣,赵飞义,卓汇涵,白杨,江之韵,胡瑞心,陈亮.一种输出匹配可调的、高线性度宽带功率放大器[J].电子器件,2015,38(02):321-326.
[51]付强,张万荣,金冬月,赵彦晓,张良浩.Collector optimization for improving the product of the breakdown voltage–cutoff frequency in SiGe HBT[J].Journal of Semiconductors,2015,36(04):61-64.
[52]江之韵,谢红云,张良浩,张万荣,胡瑞心,霍文娟.Analysis on high speed response of a uni-traveling-carrier double hetero-junction phototransistor[J].Chinese Physics B,2015,24(04):539-543.
[53]邵翔鹏,张万荣,丁春宝,张卿远,高栋,霍文娟,周孟龙,鲁东.基于噪声抵消技术的超宽带低噪声放大器[J].电子器件,2015,38(01):74-77.
[54]陈昌麟,张万荣,丁春宝,赵飞义,卓汇涵,白杨,江之韵,胡瑞心,陈亮.采用Cascode拓扑和RC反馈网络的高Q差分有源电感[J].微电子学,2015,45(01):67-71.
[55]白杨,张万荣,陈昌麟,赵飞义,卓汇涵,江之韵,胡瑞心.基于常数跨导轨到轨运算放大器的新型电荷泵[J].微电子学,2015,45(01):41-45.
[56]赵飞义,张万荣,丁春宝,陈昌麟,胡瑞心,卓汇涵,江之韵,白杨,陈亮.3.1~10.6 GHz低功耗超宽带低噪声放大器[J].微电子学,2014,44(06):737-740+745.
[57]赵彦晓,张万荣,谢红云,赵飞义.基于电流复用与有源电感的UWB LNA[J].华中科技大学学报(自然科学版),2014,42(12):87-90.
[58]付强,张万荣,金冬月,丁春宝,赵彦晓,鲁东.Collector optimization for tradeoff between breakdown voltage and cut-off frequency in SiGe HBT[J].Chinese Physics B,2014,23(11):358-362.
[59]邵翔鹏,张万荣,丁春宝,张卿远,高栋,周孟龙,鲁东,霍文娟.低功耗宽带CMOS低噪声放大器[J].电子器件,2014,37(05):908-911.
[60]赵飞义,张万荣,丁春宝,陈昌麟,胡瑞心,卓汇涵,江之韵,白杨,陈亮.基于噪声抵消技术的低功耗C频段差分低噪声放大器[J].电讯技术,2014,54(08):1140-1145.
[61]赵彦晓,张万荣,谢红云,金冬月,丁春宝,郭振杰,高栋.无螺旋电感的小面积SiGe HBT宽带低噪声放大器[J].北京工业大学学报,2014,40(05):690-695.
[62]周孟龙,张万荣,谢红云,金冬月,丁春宝,高栋,张卿远,鲁东,霍文娟.有源电感复用型2.4GHz/5.2GHz双频段LNA[J].微电子学,2014,44(01):23-27+33.
[63]周孟龙,张万荣,谢红云,金冬月,丁春宝,高栋,张卿远,鲁东,霍文娟.负阻补偿型CMOS高Q值超宽带可调谐有源电感[J].微电子学,2013,43(06):751-755.
[64]高栋,张万荣,谢红云,金冬月,丁春宝,赵彦晓,周孟龙,张卿远,邵祥鹏,鲁东,霍文娟.基于有源电阻反馈和分流支路的新型有源电感[J].微电子学,2013,43(06):760-763+772.
[65]张卿远,张万荣,邢光辉,高栋,周孟龙,邵翔鹏,鲁东,霍文娟.一种基于SiGe HBT的宽动态范围可变增益放大器[J].微电子学,2013,43(06):773-776.
[66]高栋,张万荣,金冬月,丁春宝,赵彦晓,卓汇涵.一款应用于多频带的基于新型Cascode有源电感的高Q带通滤波器[J].电子器件,2013,36(05):667-671.
[67]霍文娟,谢红云,梁松,张万荣,江之韵,陈翔,鲁东.单载流子传输的双异质结光敏晶体管探测器的研究[J].物理学报,2013,62(22):422-431.
[68]邢光辉,张万荣,谢红云,丁春宝,郭振杰,路志义,张瑜洁,张卿远.一种利用衰减器实现的超宽带可变增益放大器[J].微电子学,2013,43(04):468-471+479.
[69]张卿远,张万荣,丁春宝,邢光辉,周孟龙,高栋,鲁东,霍文娟,邵翔鹏.采用新型电流舵结构的增益可调UWBLNA[J].电子技术应用,2013,39(08):33-36.
[70]郭振杰,张万荣,金冬月,谢红云,丁春宝,邢光辉,路志义,张瑜洁.基于有源电感的全集成超宽带低噪声放大器[J].微电子学,2013,43(03):316-320.
[71]付强,张万荣,金冬月,丁春宝,赵彦晓,张瑜洁.Design and optimization of Ge profiles for improved thermal stability of SiGe HBTs[J].Journal of Semiconductors,2013,34(06):44-48.
[72]鲁东,金冬月,张万荣,张瑜洁,付强,胡瑞心,高栋,张卿远,霍文娟,周孟龙,邵翔鹏.新型宽温区高热稳定性微波功率SiGe异质结双极晶体管[J].物理学报,2013,62(10):278-283.
[73]邢光辉,张万荣,谢红云,丁春宝,陈亮,郭振杰,路志义,张瑜洁,周永强.一种采用SiGe HBT的新型超宽带有源可调衰减器[J].微电子学,2013,43(01):10-13.
[74]路志义,谢红云,霍文娟,张万荣.0.9 GHz and 2.4 GHz dual-band SiGe HBT LNA[J].Journal of Semiconductors,2013,34(02):67-71.
[75]赵彦晓,张万荣,谢红云,郭振杰,丁春宝,付强.应用于射频前端的高Q值SiGe HBT有源电感[J].半导体技术,2013,38(02):101-104.
[76]张瑜洁,张万荣,金冬月,陈亮,付强,郭振杰,邢光辉,路志义.Ge组分分布对基区杂质非均匀分布的SiGe HBT温度特性的影响[J].物理学报,2013,62(03):200-206.
[77]丁春宝,张万荣,金冬月,谢红云,赵彦晓.基于噪声抵消的有源匹配SiGe HBT低噪声放大器设计[J].北京工业大学学报,2012,38(12):1822-1827.
[78]郭振杰,张万荣,谢红云,金冬月,丁春宝,陈亮,邢光辉,路志义,张瑜洁.射频前端宽带高Q值可调节集成有源电感[J].微电子学,2012,42(05):676-679.
[79]路志义,谢红云,张万荣,霍文娟,郭振杰,邢光辉,张瑜洁,丁春宝,金冬月.SiGe HBT双频段可变增益放大器设计[J].微电子学,2012,42(05):617-621.
[80]谢红云,霍文娟,江之韵,路志义,张万荣.非统一多量子阱波长可选DFB激光器[J].中国激光,2012,39(10):12-16.
[81]沈珮,张万荣,金冬月,谢红云,黄璐.改善放大器噪声性能的SiGe HBT几何参数优化设计[J].北京工业大学学报,2012,38(08):1158-1161.
[82]丁春宝,张万荣,谢红云,沈珮,陈亮,尤云霞,孙博韬,王任卿.3~6GHz SiGe HBT Cascode低噪声放大器的设计[J].北京工业大学学报,2012,38(08):1162-1166.
[83]赵昕,张万荣,金冬月,付强,陈亮,谢红云,张瑜洁.基区Ge组分分布对SiGe HBTs热学特性的影响[J].物理学报,2012,61(13):259-265.
[84]张瑜洁,张万荣,金冬月,陈亮,付强,赵昕.基区不同Ge组分分布的多指SiGe HBT热学特性[J].半导体技术,2012,37(06):437-441.
[85]张东晖,张万荣,谢红云,丁春宝,赵昕,刘波宇.用于SiGe HBT LNA的新型双有源偏置电路的设计[J].微电子学,2012,42(02):224-228.
[86]赵昕,张万荣,金冬月,谢红云,付强,张东晖.基区Ge组分分布对SiGe HBT热学特性的影响[J].微电子学,2012,42(02):289-292+296.
[87]谢红云,路志义,霍文娟,丁春宝,刘波宇,张东晖,张万荣.适于超宽带放大器的增益平坦化反馈技术[J].北京工业大学学报,2011,37(11):1638-1643.
[88]赵昕,张万荣,金冬月,谢红云,付强,张东晖,刘波宇,周永强.改善多指HBT热稳定性的非均匀指间距技术[J].微电子学,2011,41(04):577-581.
[89]周永强,王立新,张万荣,夏洋,谢红云,丁春宝.射频功率晶体管内匹配技术中键合线的建模仿真与参数提取[J].电子器件,2011,34(04):363-366.
[90]肖盈,张万荣,金冬月,陈亮,王任卿,丁春宝.用于改善多指SiGe HBT热特性的变指间距设计方法研究[J].电子器件,2011,34(04):374-378.
[91]陈亮,张万荣,金冬月,谢红云,肖盈,王任卿,丁春宝.采用发射极非均匀指间距技术改善功率异质结双极晶体管热稳定性的研究[J].物理学报,2011,60(07):801-805.
[92]金冬月,张万荣,付强,陈亮,肖盈,王任卿,赵昕.Designing power heterojunction bipolar transistors with non-uniform emitter finger lengths to achieve high thermal stability[J].Chinese Physics B,2011,20(07):263-269.
[93]刘波宇,张万荣,谢红云,金冬月,丁春宝.双频带低噪声放大器设计[J].电子器件,2011,34(03):278-281.
[94]沈珮,张万荣,黄璐,金冬月,谢红云.Improving the quality factor of an RF spiral inductor with non-uniform metal width and non-uniform coil spacing[J].半导体学报,2011,32(06):64-68.
[95]金冬月,张万荣,陈亮,付强,肖盈,王任卿,赵昕.Thermal resistance matrix representation of thermal effects and thermal design in multi-finger power heterojunction bipolar transistors[J].Chinese Physics B,2011,20(06):281-286.
[96]陈亮,张万荣,金冬月,谢红云,胡宁,肖盈,王扬.发射极指分段与非均匀指间距组合的SiGe HBT设计及热分析[J].北京工业大学学报,2011,37(05):697-700.
[97]肖盈,张万荣,金冬月,陈亮,王任卿,谢红云.能带工程对射频功率SiGe异质结双极晶体管热性能的改善[J].物理学报,2011,60(04):317-322.
[98]付强,张万荣,金冬月,谢红云,赵昕,王任卿.基区重掺杂对SiGe HBT热学性能的影响[J].半导体技术,2011,36(04):261-264.
[99]张东晖,张万荣,金冬月,谢红云,丁春宝,赵昕.UWB LNA的增益平坦化及稳定性的反馈技术[J].半导体技术,2011,36(03):218-222.
[100]尤云霞,张万荣,金冬月,谢红云,沈珮,丁春宝,孙博韬.Cascode射频有源电感的设计[J].电子器件,2011,34(01):40-43.
[101]陈亮,张万荣,金冬月,肖盈,王任卿,尤云霞.改善不同环境温度下SiGe HBT热稳定性的技术[J].半导体技术,2011,36(02):101-103.
[102]陈亮,张万荣,金冬月,沈珮,谢红云,丁春宝,肖盈,孙博韬,王任卿.Thermal stability improvement of a multiple finger power SiGe heterojunction bipolar transistor under different power dissipations using non-uniform finger spacing[J].Chinese Physics B,2011,20(01):671-675.
[103]孙博韬,张万荣,金冬月,谢红云,丁春宝,尤云霞,王任卿.宽带噪声抵消结构的噪声分析及优化[J].半导体技术,2011,36(01):31-35.
[104]王任卿,张万荣,金冬月,陈亮,丁春宝,肖盈,孙博韬,赵昕.基于有限元法对发射极指分段结构的多指SiGe HBT的研究[J].电子器件,2010,33(06):680-683.
[105]谢红云,王文军,张万荣,沈珮,丁春宝,尤云霞,孙博韬.双频段低噪声放大器的设计[J].电子器件,2010,33(05):582-586.
[106]沈珮,张万荣,金冬月,谢红云,尤云霞,孙博韬,肖盈.新型3.1~6GHz高增益超宽带低噪声放大器[J].北京工业大学学报,2010,36(09):1181-1185.
[107]尤云霞,张万荣,金冬月,谢红云,沈珮,陈亮,丁春宝,孙博韬.基于SiGe HBT的射频有源电感的设计[J].电子器件,2010,33(04):424-427.
[108]孙博韬,张万荣,谢红云,陈亮,沈珮,黄毅文,尤云霞,王任卿.采用噪声抵消技术的宽带SiGe HBT低噪声放大器设计[J].电子器件,2010,33(04):456-459.
[109]沈珮,张万荣,金冬月,谢红云.SiGe HBT低噪声放大器的设计与制造[J].电子与信息学报,2010,32(08):2028-2032.
[110]谢红云,陈亮,沈珮,孙博韬,王任卿,肖盈,尤云霞,张万荣.Analysis of a wavelength selectable cascaded DFB laser based on the transfer matrix method[J].半导体学报,2010,31(06):50-53.
[111]胡宁,张万荣,谢红云,金冬月,陈亮,沈珮,黄璐,黄毅文,王扬.新型发射极指组合结构功率SiGe HBT热分析[J].微电子学,2010,40(02):305-308.
[112]黄毅文,张万荣,谢红云,沈珮,黄璐,胡宁.一种无电感超宽带低噪声放大器的设计[J].微电子学,2009,39(06):807-810.
[113]黄璐,张万荣,谢红云,沈珮,黄毅文,胡宁.兼顾群延时与宽带匹配的SiGe HBT LNA设计[J].半导体技术,2009,34(11):1118-1121+1126.
[114]金冬月,张万荣,谢红云,沈珮,胡宁,甘军宁,李佳.改善多指功率SiGe HBTs热稳定性的版图设计(英文)[J].功能材料与器件学报,2009,15(05):511-515.
[115]袁颖,董利民,张万荣.微电子技术实验教学平台的构建[J].电气电子教学学报,2009,31(S1):115-117.
[116]李佳,张万荣,谢红云,金冬月,沈珮,甘军宁.3~10GHz SiGe HBTs超宽带低噪声放大器的设计[J].电子器件,2009,32(02):311-314.
[117]沈珮,张万荣,谢红云,金冬月,李佳,甘军宁.具有高电流处理能力的多发射极条微波功率GeSi HBT[J].功能材料与器件学报,2009,15(01):15-19.
[118]甘军宁,张万荣,谢红云,金冬月,沈珮,李佳.一款适用于WCDMA标准的大动态范围SiGe HBT可变增益放大器设计[J].电子器件,2009,32(01):45-48.
[119]谢红云,金冬月,何莉剑,张蔚,王路,张万荣,王圩.基于DFB激光器的光学微波信号的产生[J].物理学报,2008(07):4558-4563.
[120]李佳,张万荣,谢红云,张蔚,沈珮,甘军宁.基于IEEE802.11a标准的SiGe HBT LNA的设计[J].半导体技术,2008(05):425-427+445.
[121]张蔚,张万荣,谢红云,金冬月,何莉剑,王扬,沙永萍.基于SiGe HBT的超宽带低噪声放大器的设计[J].微电子学,2008(02):271-274.
[122]甘军宁,张万荣,谢红云,何莉剑,李佳,沈珮.射频E类功率放大器并联电容技术研究[J].半导体技术,2008(04):333-335+359.
[123]王扬,张万荣,谢红云,金冬月,邱建军.多发射极指分段结构功率SiGe HBT的热分析[J].微电子学,2008(01):81-84+119.
[124]金冬月,张万荣,谢红云,沈珮,王扬.射频功率HBT热稳定性分析及镇流电阻优化[J].北京工业大学学报,2008(02):141-144+149.
[125]沙永萍,张万荣.SiGe HBT低频噪声PSPICE模拟分析[J].半导体技术,2008(01):51-55.
[126]何莉剑,张万荣,谢红云,张蔚.SiGe HBT功率放大器基极偏置电阻的优化[J].半导体技术,2007(12):1025-1027+1064.
[127]高攀,张万荣,邱建军,杨经纬,金冬月,谢红云,张静,张正元,刘道广,王健安,徐学良.横向尺寸的变化对SiGe HBT高频噪声的影响(英文)[J].功能材料与器件学报,2007(05):495-498.
[128]金冬月,张万荣,沈珮,谢红云,王扬.非均匀条间距结构功率SiGe HBT(英文)[J].半导体学报,2007(10):1527-1531.
[129]何莉剑,张万荣,谢红云,张蔚.等效器件补偿法提高功率放大器的线性[J].半导体技术,2007(09):785-787.
[130]高攀,张万荣,谢红云,邱建军,沙永萍,金冬月,张静,张正元,刘道广,王健安,徐学良,陈光炳.SiGe HBT高频噪声特性研究[J].半导体技术,2007(05):394-396+405.
[131]张万荣,张蔚,金冬月,谢红云,肖盈,王扬,李佳,沈佩.微波功率SiGe HBT研究进展[J].微电子学,2006(05):548-551.
[132]张万荣,何莉剑,谢红云,杨经伟,金冬月,肖盈,沙永萍,王扬,张蔚.多发射极条功率SiGe HBT的热电耦合与优化设计[J].微电子学,2006(05):591-594.
[133]张万荣,沙永萍,谢红云,刘颖,张静,张正元,刘伦才,刘道广,王健安,徐学良,陈光炳.版图尺寸对SiGe/Si HBT高频噪声特性的影响[J].微电子学,2006(05):598-600.
[134]张万荣,王扬,金冬月,谢红云,肖盈,何莉剑,沙永萍,张蔚.功率SiGe/Si HBT的温度特性[J].微电子学,2006(05):611-614.
[135]金冬月,张万荣,谢红云,邱建军,王扬.射频功率HBT热稳定性的一种新表征方法[J].电子器件,2006(04):1168-1171.
[136]金冬月,张万荣,吴春瑜.射频功率HBT自加热效应及补偿方法[J].微电子学,2006(03):288-291.
[137]刘黎明,林志东,张万荣,杨培志,黄宗坦.RuO_2包覆的TiO_2纳米复合粒子的表面与界面分析[J].表面技术,2006(02):27-30.
[138]张万荣,高攀,金冬月,张静,张正元,刘道广,王健安,徐学良,陈光炳.SiGe/Si HBT低频噪声特性研究[J].微电子学,2006(01):23-26.
[139]张万荣,邱建军,金冬月,张静,张正元,刘道广,王健安,徐学良,陈光炳.SiGe/Si HBT高频噪声特性研究[J].微电子学,2006(01):27-29.
[140]林志东,刘黎明,张万荣.超级电容器氧化物电极材料研究进展[J].武汉化工学院学报,2005(02):40-44.
[141]林志东,刘黎明,张万荣.金刚石表面Ar离子溅射效应的电子能谱分析[J].武汉化工学院学报,2004(02):46-49.
[142]崔福现,张万荣.Si/SiGe/SiHBT直流特性的可靠性[J].微纳电子技术,2003(10):17-19.
[143]李志国,宋增超,孙大鹏,程尧海,张万荣,周仲蓉.GaAs MESFET可靠性及快速评价新方法的研究[J].半导体学报,2003(08):856-860.
[144]张万荣,李志国,王立新,汪东,崔福现,孙英华,程尧海,陈建新,沈光地,罗晋生.Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性[J].电子学报,2001(08):1132-1134.
[145]张万荣,李志国,程尧海,高玉珍,孙英华,陈建新,沈光地.TiA1和TiPtAu栅GaAs MESFET稳定性研究[J].固体电子学研究与进展,2001(02):216-221.
[146]孙英华,李志国,苗城,程尧海,张万荣,强桂华,穆杰.回流加固结构金属化系统的可靠性测试[J].半导体技术,2000(04):47-50.
[147]孙英华,李志国,程尧海,张万荣.微波功率器件金属化布线回流加固结构[J].半导体学报,2000(07):705-710.
[148]张万荣,高玉珍,李志国,程尧海,孙英华,陈建新,沈光地,穆杰.高温大电流应力对TiAl/GaAs和TiPtAu/GaAs Schottky二极管Richardson图的影响[J].北京工业大学学报,2000(02):1-4.
[149]张万荣,李志国,穆甫臣,程尧海,孙英华,郭伟玲,陈建新,沈光地,张玉清,张慕义.具有TiN扩散阻挡层的n-GaAs欧姆接触的可靠性[J].半导体学报,2000(06):608-613.
[150]张万荣,李志国,孙英华,程尧海,陈建新,沈光地.基区不均匀重掺杂对Si/SiGe/SiHBT基区渡越时间的影响[J].微电子学,2000(01):6-8.
[151]张万荣,李志国,孙英华,程尧海,陈建新,沈光地.重掺杂P型Si_(1-x)Ge_x层中少数载流子浓度的低温特性[J].微电子学,1999(05):3-5.
[152]张万荣,李志国,穆甫臣,孙英华,程尧海,陈建新,沈光地,穆杰.GaAs MESFETs欧姆接触的快速评估和改进[J].北京工业大学学报,1999(03):3-5.
[153]穆甫臣,李志国,张万荣,郭伟玲,孙英华,严永鑫.对Fukui法测量MESFET栅极串联电阻的改进[J].半导体学报,1999(03):3-5.
[154]孙英华,郭伟玲,程尧海,孙喆 ,李志国,张万荣.金属化布线晶片级测试系统[J].半导体技术,1999(01):3-5.
[155]孙英华,李志国,程尧海,张万荣,吉元.半导体器件金属化热电徙动的温度测试[J].北京工业大学学报,1998(04):3-5.
[156]孙英华,郭伟玲,李志国,张万荣,程尧海,吉元.脉冲应力下电流密度指数因子的研究与分析[J].半导体技术,1998(06):3-5.
[157]张万荣,李志国,罗晋生,孙英华,程尧海,陈建新,沈光地.应变p型Si_(1-x)Ge_x层中载流子冻析[J].电子学报,1998(11):3-5.
[158]郭伟玲,李志国,吉元,孙英华,张万荣,沈光地.温度梯度对VLSI金属化布线电徙动特性的影响[J].固体电子学研究与进展,1998(04):3-5.
[159]穆甫臣,李志国,郭伟玲,张万荣,孙英华,程尧海,严永鑫.GaAs MESFET欧姆接触可靠性研究进展[J].半导体技术,1998(05):3-5.
[160]张万荣,李志国,郭伟玲,孙英华,穆甫臣,程尧海,沈光地.半导体器件欧姆接触中的扩散阻挡层[J].微电子学与计算机,1998(05):3-5.
[161]张万荣,罗晋生,李志国,孙英华,穆甫臣,程尧海,陈建新,沈光地.Si/SiGe/Si HBT频率特性的解析模型与模拟[J].固体电子学研究与进展,1998(03):3-5.
[162]张万荣,李志国,郭伟玲,孙英华,穆甫臣,程尧海,沈光地,罗晋生.Si/SiGe/SiHBT的优化设计[J].半导体技术,1998(04):3-5.
[163]张万荣,罗晋生,李志国,穆甫臣,程尧海,陈建新,沈光地.Si-SiGe/SiHBT真流特性的解析模型与模拟[J].北京工业大学学报,1998(02):3-5.
[164]李志国,郭伟玲,朱红,吉元,程尧海,孙英华,张万荣.VLSI金属化布线电徙动动力学温度相关性研究[J].半导体学报,1998(06):3-5.
[165]张万荣,李志国,郭伟玲,孙英华,穆甫臣,程尧海,沈光地,罗晋生.应变Si_(1-x)Ge_x层材料和Si/Si_(1-x)Ge_x器件物理参数模型[J].半导体技术,1998(03):3-5.
[166]郭伟玲,李志国,周天夷,孙英华,张万荣,沈光地.热应力条件下VLSI金属化布线的可靠性[J].微电子学,1998(03):3-5.
[167]张万荣,罗晋生,李志国,穆甫臣,郭伟玲,孙英华,程尧海,沈光地.应变p型Si_(1-x)Ge_x层中补偿浅能级杂质的低温陷阱效应[J].微电子学,1998(03):3-5.
[168]李志国,孙英华,邓燕,程尧海,郭伟玲,张万荣,张炜.Black方程中电流密度因子及精确测量技术的研究[J].电子学报,1998(02):3-5.
[169]张万荣,李志国,穆甫臣,郭伟玲,孙英华,陈建新,沈光地.砷化镓欧姆接触中的能带工程[J].微电子学,1998(01):3-5.
[170]张万荣,李志国,郭伟玲,孙英华,穆甫臣,程尧海,陈建新,沈光地.提高半导体器件欧姆接触可靠性的扩散阻挡层及其应用[J].电子工艺技术,1998(01):3-5.
[171]李志国,孙英华,邓燕,张炜,程尧海,郭伟玲,张万荣.电迁徙参数—电流密度因子电流斜坡测试法[J].半导体学报,1997(11):825-831.
发表会议论文:
[1]甘军宁,张万荣,谢红云,金冬月,何莉剑,张蔚,李佳,沈,王扬,沙永萍. 射频E类功率放大器并联电容技术研究进展[C]. 中国电子学会(Chinese Institute of Electronics).2007年全国微波毫米波会议论文集(下册).中国电子学会(Chinese Institute of Electronics):中国电子学会微波分会,2007:275-278.
[2]何莉剑,张万荣,谢红云,张蔚. 四频段高效率功率放大器的设计[C]. 中国电子学会(Chinese Institute of Electronics).2007年全国微波毫米波会议论文集(下册).中国电子学会(Chinese Institute of Electronics):中国电子学会微波分会,2007:295-298.
[3]张蔚,张万荣,谢红云,金冬月,何莉剑,王扬,沙永萍,李佳,甘军宁,沈珮. 基于SiGe HBT的超宽带(UWB)低噪声放大器的设计[C]. 中国电子学会(Chinese Institute of Electronics).2007年全国微波毫米波会议论文集(上册).中国电子学会(Chinese Institute of Electronics):中国电子学会微波分会,2007:666-669.
[4]李佳,张万荣,谢红云,张蔚,金冬月,何莉剑,甘军宁,沈珮,王扬,沙永萍. 一款适用于IEEE802.11a标准的SiGe HBT低噪声放大器的设计[C]. 中国电子学会(Chinese Institute of Electronics).2007年全国微波毫米波会议论文集(上册).中国电子学会(Chinese Institute of Electronics):中国电子学会微波分会,2007:670-673.
[5]沈珮,张万荣,谢红云,金冬月,邱建军,王扬,何莉剑,张蔚,沙永萍,李佳,甘军宁. 具有高电流处理能力的多发射极条微波功率GeSi HBT[C]. 中国电子学会(Chinese Institute of Electronics).2007年全国微波毫米波会议论文集(上册).中国电子学会(Chinese Institute of Electronics):中国电子学会微波分会,2007:685-688.
[6]王扬,张万荣,谢红云,金冬月,张蔚,何丽剑,沙永萍. 多发射指分段结构功率SiGe HBT的优化设计[C]. 中国电子学会(Chinese Institute of Electronics).2007年全国微波毫米波会议论文集(上册).中国电子学会(Chinese Institute of Electronics):中国电子学会微波分会,2007:829-832.
[7]沙永萍,张万荣,谢红云. SiGe HBT的高频噪声相关性模型[C]. 中国电子学会(Chinese Institute of Electronics).2007年全国微波毫米波会议论文集(上册).中国电子学会(Chinese Institute of Electronics):中国电子学会微波分会,2007:833-837.
[8]谢红云,张蔚,何莉剑,杨华,王扬,沙永萍,甘军宁,张万荣. 高阻硅低损耗微波共面波导传输线[C]. 中国电子学会(Chinese Institute of Electronics).2007年全国微波毫米波会议论文集(上册).中国电子学会(Chinese Institute of Electronics):中国电子学会微波分会,2007:1022-1025.