颜世申——山东大学教授

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专家信息：

颜世申教授、博导、山东大学基础学部学术委员会委员。

教育情况：

1997年5月—2000年2月，德国于利希研究中心，洪堡学者。

导师Peter Grünberg 教授，2007 年诺贝尔物理学奖获得者。

1993年6月—1996 年6月，山东大学物理系，博士。导师梅良模教授。

1990年6月—1993 年6月，山东大学物理系，硕士。导师刘宜华教授。

1986年9月—1990 年6月，山东大学物理系，学士。

科研工作情况：

2002年10月—至今，教授，博导，山东大学物理学院。

——设计和组建自旋电子学实验室，新添了分子束外延系统、脉冲激光沉积系统。

——超导量子干涉磁强计、交流梯度磁强计、光致发光谱仪等大型仪器。

——研究过渡金属化合物磁性半导体和自旋电子注入半导体。

2000年2月—2002 年10 月，研究员，美国亚拉巴马大学和美国国家高磁场实验室。

——研究软磁/硬磁双相复合的金属磁性多层膜。

1997年5 月— 2000 年2 月，洪堡学者，德国于利希研究中心。

——研究分子束外延金属Fe/Mn/Fe 三层膜的层间耦合、磁畴结构。

——研究分子束外延单晶金属磁性薄膜的磁化反转机理。

1996年6月-2000年2月，讲师（1996），副教授（1998），山东大学物理系。

——研究磁性金属多层膜的结构、磁性、层间耦合、巨磁电阻。

学术任职：

中国物理学会会员、中国电子学会高级会员、磁学分会委员。

德国洪堡基金会会员。

第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议的分会主席，天津，2004 年5月。

2006年北京国际材料周，磁性材料分会主持人，北京，2006年6月。

CPS2008秋季学术会议，大会组织者之一，磁学分会主席, 济南，2008年9月。

Phys. Rev. Lett., Phys. Rev. B, Appl. Phys. Lett., J. Appl. Phys., IEEE Trans. Magn., Chin. Phys. Lett., <<物理学报>> 等专业杂志审稿人。

教学情况：

授课：近代物理实验、自旋电子学、凝聚态物理专题、专业英语、磁学新进展。

指导研究生：现有博士生6名，硕士生8 名。

科学研究：

研究方向：

研究领域是自旋电子学，主要研究方向是磁性金属多层膜和磁性半导体，从事应用基础研究。研究目标是研制具有独立自主知识产权的新型自旋电子材料，解决自旋电子材料中的关键物理问题，获得自旋电子材料和器件设计的新实验技术和方法。

承担的项目：

近年来，颜世申获得了国家973 课题（2002-2006年）、国家重点基础研究发展计划课题（2007-2011年）、基金委面上基金项目、以及教育部新世纪优秀人才支持计划等6个项目的资助。

1、国家重点基础研究发展计划项目，2007CB924903，高品质半导体磁性异质结构分子束外延生长和磁性研究，2007.1 – 2011.12，课题第二负责人（山东大学的课题负责人），正在进行。

2、国家973项目，2002CB610603，自旋电子注入的材料结构、过程和控制, 2002.4-2006.10，课题负责人，已完成。

3 、国家自然科学面上基金项目，50572053，非匀质化合物磁性半导体的自旋极化和电子输运，2006.1-2008.12，项目负责人，已完成。

4 、教育部新世纪优秀人才支持计划，NCET040634，亚纳米尺寸复合磁性半导体材料的制备、结构和性能；2005.1-2007.12，项目负责人，已完成。

5、山东大学人才基金项目，新型过渡金属氧化物磁性半导体研究， 2003.1-2005.12，项目负责人，已完成。

主要研究成果如下：

1、发现在金属Fe/Mn/Fe 单晶外延三层膜中，随着楔形中介层Mn层厚度的增加，层间耦合表现出从铁磁耦合逐渐过渡到反铁磁耦合的现象，即任意角度的层间耦合。 2007 年诺贝尔物理学奖获得者P. Grünberg 教授曾多次在大会特邀报告中详细介绍了这一新发现，被国际同行认为是近年来在层间耦合研究中的最重要进展之一。

2、提出了外边界磁化自由转动的磁畴壁位移模型，特别是给出了存在高阶磁光效应时描述磁化反转的理论公式和实验测量方法。该磁化反转模型不仅定量解决了金属Fe 单晶膜、 Fe/Mn/Fe 单晶三层膜、具有单轴磁各向异性软磁/硬磁复合膜的磁化反转机理，还为自旋电子器件中调控磁化反转提供了理论依据和新的实验方法。

3、研发出了一种具有独立自主知识产权的制备高含量过渡金属元素的氧化物磁性半导体的新方法，成功制备出具有高含量过渡金属元素的Zn1-xCoxO、Ti1-xCoxO2、(In1-xFex)2O3等6种氧化物磁性半导体，发现这类材料具有高居里温度、高自旋极化率、巨磁光克尔效应等优良物理特性，并证实Zn1-xCoxO、(In1-xFex)2O3等氧化物磁性半导体的铁磁性起源于氧空位传递的铁磁交换耦合。这些用新方法制备的金属氧化物磁性半导体，不同于常规的稀磁半导体，有望成为高效的自旋注入源或半透明的磁光材料。

4、通过对铁磁半导体的输运性质进行了大量实验和理论研究，提出了自旋依赖的电子变程跃迁理论模型。该模型不仅定量解释了磁性半导体的磁电阻起源，还提供了一个测量磁性半导体自旋极化率的新方法，这是我们在自旋极化电子的输运理论和实验方法方面的创新。

授权专利：

1、非晶态高掺杂CoxTi1-xO2铁磁性半导体薄膜的制备方法，专利号 ZL200510043640.1，授权日 2007年11 月21日，发明人 颜世申、陈延学、宋红强、刘国磊、梅良模。

2、亚纳米复合制备氧化锌基磁性半导体材料的方法，专利号 ZL 03139039.0, 授权日 2006年4 月26日，发明人梅良模、颜世申、陈延学、任妙娟、季刚。

申请专利:

1、磁性增强的H掺杂MnGe磁性半导体薄膜，申请日 2008年3 月7日，申请号200810014729.9, 申请人山东大学，发明人 颜世申、姚新欣、乔瑞敏、秦羽丰、孙毅彦、陈延学、刘国磊、梅良模。

2、电输运性质可调控的氧化物磁性半导体薄膜及其制备方法，申请日 2007年12 月20日，申请号200710115811.6, 申请人山东大学，发明人 颜世申、、陈延学、刘国磊、梅良模、田玉峰。

3、非晶态Zn-Fe-O铁磁性半导体材料及其制备方法，申请日2006年4月25日，申请号 200610043855.8，发明人梅良模、颜世申、陈延学、刘国磊。

4、非匀质Zn-Co-O磁光薄膜及其制备方法，申请日2006年4月25日，申请号 200610043854.3，发明人陈延学、颜世申、张云鹏、刘国磊、梅良模。

5、亚纳米CoZnO紫外发光薄膜及其制备方法，申请日 2005年1 月20日，申请号200510042037.1, 申请人山东大学，发明人 颜世申、陈延学、季刚、梅良模。

论文专著：

发表SCI论文60余篇，其中11篇发表在 Physical Review B 上， 9篇发表在Applied Physics Letters上；有45篇论文被SCI总引用318次，它引245次。

近5年内发表的主要论著（36篇）：

1、 Origin of large positive magnetoresistance in the “hard gap” regime of epitaxial Co-doped ZnO ferromagnetic semiconductors, Y. F. Tian, Shi-shen Yan, Q. Cao, J. X. Deng, Y. X. Chen, G. L. Liu, L. M. Mei and Y. Qiang, Phys. Rev. B 79 (2009) 115209.

2、 First-Principles Study of Faceted Single-Crystalline Silicon Carbide Nanowires and Nanotubes, Z. H. Wang, M. W. Zhao, T. He, X. J. Zhang, Z. Xi, Yan S S, X.D. Liu and Y. Y. Xia, J. Phys. Chem. 113 (2009）856-861.

3、 High temperature ferromagnetism and perpendicular magnetic anisotropy in Fe-doped In2O3 films, P. F. Xing, Y. X. Chen, Shi-shen Yan, G. L. Liu, L. M. Mei，K. Wang, X. D. Han and Z. Zhang, Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 022513-1-3.

4、 Giant positive magnetoresistance in Co-doped ZnO nanocluster films, Y. F. Tian, J. Antony, R. Souza, S. S. Yan, L.M. Mei and Y. Qiang, Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 192109-1-3.

5、 Structures and magnetic properties of (Fe, Li)-codoped NiO thin films，W. S. Yan, W. X. Weng, G. B. Zhang, Z. H. Sun, Q. H. Liu, Z. Y. Pan, Y. X. Guo, P. S. Xu, S. Q. Wei, Y. P. Zhang and Shi-shen Yan, Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 0525081-3.

6、 Hydrogen interstitials-mediated ferromagnetism in MnxGe1-x magnetic semiconductors, X. X. Yao, S. S. Yan, S. J. Hu, et al., New Journal of Physics 10 (2008) 055015.

7、 First-principles study of ZnS nanostructures: nanotubes, nanowires and nanosheets, X. J. Zhang , M. W. Zhao, S. S. Yan, et al., Nanotechnology 19 (2008) 305708.

8、 Magnetism of amorphous Ge1-xMnx magnetic semiconductor films, J. X. Deng, Y. F. Tian, S. S. Yan, et al., J. Appl. Phys. 104 (2008) 013905.

9、 Theoretical Models of Silica Nanorings: First-Principles Calculations, Z. X. Xi, M. W. Zhao, R. Q. Zhang, Yan S S, T. He, W. F. Li, X. J. Zhang, X. H. Lin, Z. H. Wang, X. D. Liu, and Y. Y. Ma, J. Phys. Chem. 112 (2008) 17071-17075.

10、 Zeeman Splitting-Induced Positive Magnetoresistance in Co-Doped ZnO and Co-Doped Cu2O Ferromagnetic Nanoparticles, Y. F.Tian, J. J. Antony, R. Souza, Yan S S and Y. Qiang, IEEE Trans. Magn. 44 Part 1 (2008 ) 2712-2714.

11、 Electronic structure of Fe-doped In2O3 magnetic semiconductor with O vacancies ---evidence for F-center mediated exchange interaction, S. J. Hu, Shi-shen Yan, X. L. Lin, X. X. Yao, Y. X. Chen, G. L. Liu and L. M. Mei, Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 262514-1-3.

12、 High TC ferromagnetism of Zn1-xCoxO diluted magnetic semiconductors grown by oxygen plasma-assisted molecular beam epitaxy, G. L. Liu, Q. Cao, J. X. Deng, Y. F. Tian, Y. X. Chen, S. S. Yan and L. M. Mei, Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 052504-1-3.

13、 Electrical transport properties of (CoxAl1-x)2O3-v oxide magnetic semiconductor and corresponding Co-Al2O3 granular films, Y. F. Tian, Y. P. Zhang, Shi-shen Yan, G. L. Liu, Y. X. Chen and L. M. Mei, Appl. Phys. Lett. 91 (2007）013509-1-3.

14、 Magnetic and transport properties of homogeneous MnxGe1-x ferromagnetic semiconductor with high Mn concentration, Y. X. Chen, Shi-shen Yan, Y. Fang, Y. F. Tian, S. Q. Xiao, G. L. Liu, Y. H. Liu and L. M. Mei, Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 052508-1-3.

15、 Electronic structure and magnetic properties of Fe0.125Sn0.875O2, S. J. Hu, Shi-shen Yan, X. X. Yao, Y. X. Chen, G. L. Liu and, L. M. Mei, Phys. Rev. B 75 (2007) 094412-1-7.

16、 Electronic transport of (In1-xFex)2O3-v magnetic semiconductor and Fe-In2O3 granular films in the presence of electronic screening, Y. F. Tian, Shi-shen Yan, Y. P. Zhang, P. F. Xing, G. L. Liu, Y. X. Chen and L. M. Mei, J. Phys.: Condens. Matter. 19 (2007) 326206.

17、 Electronic transport properties and microstructures of TiO2:Co magnetic semiconductors, H. Q. Song, Y. Wang, S. S. Yan, L. M. Mei, and Z. Zhang, J. Magn. Magn. Matter. 312 (2007) 53.

18、 Epitaxial properties of Co-doped ZnO thin films grown by plasma assisted molecular beam epitaxy, Q. Cao, J. X. Deng, G. L. Liu, Y. X. Chen, Shi-shen Yan and L. M. Mei, Chin. Phys. Lett. 24 (2007) 2951.

19、 Variations from Zn1-xCoxO magnetic semiconductor to Co-ZnCoO granular composite, Y. X. Chen, Shi-shen Yan, G. L. Liu, L. M. Mei and M. J. Ren, Chin. Phys. Lett. 24 (2007) 214-217.

20、 Magneto-optical Kerr rotation enhancement in CoZnO inhomogeneous magnetic semiconductor, Y. P. Zhang, Shi-Shen Yan, Y. H. Liu, M. J. Ren, Y. Fang, Y. X. Chen, G. L. Liu, L. M. Mei, J. P. Liu, J. H. Qiu, S. Y. Wang and L. Y. Chen, Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 042501-1-3.

21、 First-principles LDA+U calculations of the Co-doped ZnO magnetic semiconductor, S. J. Hu, Shi-shen Yan, M. W. Zhao and L. M. Mei, Phys. Rev. B 73 (2006) 245205-1-7.

22、 Spin-dependent variable range hopping and magnetoresistance in Ti1-xCoxO2 and Zn1-xCoxO magnetic semiconductor films, Shi-shen Yan, J. P. Liu, L. M. Mei, Y. F. Tian, H. Q. Song, Y. X. Chen and G. L. Liu, J. Phys.: Condens. Matter 18 (2006) 10469-10480.

23、 Free boundary domain wall pinning model for the magnetization reversal in magnetic thin films, Shi-shen Yan, H. Garmestani, Y. F. Tian, S. J. Hu, R. W. Gao, Y. X. Chen, G. L. Liu and L. M. Mei, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 45 (2006) 93-98.

24、 Microstructure, ferromagnetism, and magnetic transport of Ti1-xCoxO2 amorphous magnetic semiconductor, H. Q. Song, L. M. Mei, Shi-Shen Yan, Xi. L. Ma, J. P. Liu, Y. Wang and Z. Zhang, J. Appl. Phys. 99 (2006) 123903-1-5．

25、 Transformation of electrical transport from variable range hopping to hard gap resistance in Zn1-xFexO1-v magnetic semiconductor films, Y. F. Tian, Shi-shen Yan, Y. P. Zhang, H. Q. Song, G. Ji, G. L. Liu, Y. X. Chen and L. M. Mei, J. Appl. Phys. 100 (2006) 103901-1-6.

26、 Ferromagnetic resonance study on Fe-ZnO inhomogeneous magnetic semiconductors, Y. P. Zhang, S. S. Yan, Y. H. Liu, Y. F. Tian, G. L. Liu, Y. X. Chen, L. M. Mei and J. P. Liu, Solid State Communications 140 (2006) 405-409.

27、 Enhanced Spin Injection into ZnO Semiconductor Measured by Magnetoresistance, G. Ji, Shi-Shen Yan, Y. X. Chen, G. L. Liu, Q. Cao and L. M. Mei, Chin. Phys. Lett. 23 (2006) 446-449.

28、 Synthesis and optical properties of Co-doped ZnGa2O4 nanocrystals, X. L. Duan, D. R. Yuan, L. H. Wang, F. P. Yu, X. F. Cheng, Z. Q. Liu and S. S. Yan, Journal of Crystal Growth 296 (2006) 234-238.

29、 Giant magnetoresistance in La0.67Ca0.33MnO3/Alq3/Co sandwiched-structure organic spin valves, Z. Y. Pang, Y. X. Chen, T. T. Liu, Y. P. Zhang, S. J. Xie, S. S. Yan and S. H. Han, Chin. Phys. Lett. 23 (2006) 1566-1569.

30、 Effects of phase distribution and grain size on the effective anisotropy and coercivity of nanocomposite Nd2Fe14B/α-Fe magnets, W. C. Feng, R. W. Gao, S. S. Yan, W. Li and M. G. Zhu, J. Appl. Phys. 98 (2005) 044305-1-5.

31、 Influence of magnetic induced anisotropy on giant magnetoimpedance effects in FeCuNbSiB films, W. J. Wang, S. Q. Xiao, S. Jiang, H. M. Yuan, Z. Y. Wu, G. Ji, Yan S S, Y. H. Liu, and L. M .Mei, Thin Solid Films (2005) 299-302.

32、 The influence of sputtering power on the giant magneto-impedance of FeZrBCu films, W. J. Wang, S. Q. Xiao, Y. H. Liu, W. P. Chen, Y. Y. Dai, S. Jiang, H. M. Yuan and S. S. Yan, Acta Physica Sinica 54 (2005) 1821-1825.

33、 Ferromagnetism and magnetoresistance of Co-ZnO inhomogeneous magnetic semiconductor, Shi-Shen Yan, C. Ren, X. Wang, Y. Xin, Z. X. Zhou, L. M. Mei, M. J. Ren, Y. X. Chen, Y. H. Liu, and, H. Garmestani, Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 2376-2378.

34、 Effects of high magnetic field annealing on texture and magnetic properties of FePd, D. S. Li, H.Garmestani, Shi-shen Yan, M. Elkawni, M. B. Bacaltchuk, H. J. Schneider-Muntau, J. P. Liu, S. Saha and J. A. Barnard, J. Magn. Magn. Mater. 281 (2004) 272-275.

35、 Effect of exchange–coupling interaction on the effective anisotropy in nanocrystalline Nd2Fe14B material，G. B. Han, R. W. Gao, S. S. Yan, H. Q. Liu, S. Fu, W. C. Feng, W. Li and X. M. Li, J. Magn. Magn. Mater. 281 (2004) 6-10.

36、 The antiferromagnetic coupling and interface diffusion in Fe/Si multilayers, N. Jing, J. W. Cai, J. G. Zhao, S. S. Yan, L. M. Mei and S. F. Zhu, Acta Physica Sinica 53 (2004) 3920.

其余论著（25篇）:

37、 Soft/hard exchange-coupled layered structures with modulated exchange coupling, Shi-Shen Yan, M. Elkawni, D. S. Li, H. Garmestani, J. P. Liu, J. L. Weston and G. Zangari, J. Appl. Phys. 94 (2003) 4535.

38、 Magnetization process in SmFe/NiFe/SmFe exchange spring films, D. Chumakov, R. Schäfer, D. Elefant, D. Eckert, L. Schultz, S. S. Yan and J. A. Barnard, Phys. Rev. B 66 (2002) 134409.

39、 Critical dimension of the transition from single switching to an exchange spring process in hard/soft exchange-coupled bilayers, Shi-shen Yan, J. A. Barnard, et al, Phys. Rev. B 64 (2001) 184403.

40、 Magnetization-reversal mechanism of hard/soft exchange-coupled trilayers, Shi-shen Yan, G. Zangari, J. A. Barnard et al, Phys. Rev. B. 63 (2001) 174415.

41、 Modulated magnetic properties of hard/soft exchanged-coupled SmFe/NiFe multilayers, Shi-shen Yan, G. Zangari and J. A. Barnard, et et al., J. Magn. Magn. Mater. 231 (2001) 241.

42、 Magnetic characterization of FeSm/FeTaN multilayer films, J. L. Weston, S. S. Yan, G. Zangari and J. A. Barnard, J. Appl. Phys. 89 (2001) 6831.

43、 Domain evidence for canted noncollinear interlayer coupling, Shi-shen Yan, R. Schäfer and P. Grünburg, Phys. Rev. B. 62 (2000) 5765.

44、 Giant magnetoimpedance and domain structure in FeCuNbSiB films and sandwiched films, S. Q. Xiao, Y. H. Liu, Shi-shen Yan, Y. Y. Dai, L. Zhang and L. M. Mei, Phys. Rev. B 61 (2000) 5734.

45、 Magnetic phase diagrams of the trilayers with the noncollinear coupling in the form of the proximity magnetism model, Shi-shen Yan, P. Grünberg and L. M. Mei, J. Appl. Phys. 88 (2000) 983.

46、 Magnetization reversal in (001) Fe thin films studied by combining domain images and MOKE hysteresis loops, Shi-shen Yan, R. Schreiber, R. Schäfer and P.Grünburg, J. Magn. Magn. Mater. 210 (2000) 309.

47、 Oscillatory interlayer coupling in Fe/Mn/Fe trilayers, Shi-shen Yan, R. Schreiber, F. Voges, C. Osthöver and P. Grünberg, Phys. Rev. B 59 (1999) R11641.

48、 Magnetism and its dependence on annealing temperature of sputtered Co/Cu multilayers, R. W. Gao, Y. H. Liu, Shi-shen Yan, et al., Journal of Materials Science & Technology, 14 (1998) 139.

49、 Ferromagnetic resonance in CoNb/Pd multilayers, S. S. Yan, Y. H. Liu, L. M. Mei, et al., J. Phys. : Cond. Mater 9 (1997) 3723.

50、 Magnetoresistance of annealed CoNb/Cu multilayers with amorphous CoNb magnetic layers, Shi-shen Yan, Y. H. Liu, L. M. Mei, et al., Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 2652.

51、 Magnetism and spin polarization of CoNb/Pd multilayers, Shi-shen Yan, Y. H. Liu, L. M. Mei, et al., J. Magn. Magn. Mater. 168 (1997) 55.

52、 Ferromagnetic resonance in Co-Zr/Pd multilayers, Y. H. Liu, M. C. Xu, Shi-shen Yan and J. Huang, Phys. Stat. Sol. (a) 161 (1997) 507.

53、 Giant impedance of nanometer crystalline FeCrSiB alloy thin films, Y. H. Liu, C. Chen, L. Zhang, S.S.Yan and L. M. Mei, J. Phys. D: Appl.Phys. 29 (1996) 2943.

54、 Structural and magnetic properties of Pd/Co-Nb/Pd/Si、n multilayers, Shi-shen Yan, Y. H. Liu, L. M. Mei ,et al., Acta Physica Sinica, 45 (1996) 533.

55、 Polarization and interlayer coupling in Co-Nb/Pd multilayers, Shi-shen Yan, Y. H. Liu and L. M. M, Phys. Rev. B 52 (1995) 1107.

56、 Structure and Magnetic properties of Co-Nb/Pd multilayers, Shi-shen Yan, Y. H. Liu, M. Zheng, L. M. Mei, et al., J. Appl. Phys. 78 (1995) 5563.

57、 Magnetic and magneto-optic properties in Co-Nb/Pd and Fe-Si/Cr multilayers, S. M. Zhou, Y. H. Liu, L. Y. Chen, S.S.Yan, X. D. Ma, L. M. Mei, et al., J. Magn. Magn. Mater. 140-144 (1995) 571.

58、 CEMS study of Fe-Si/Cr multilayered films, Y. M. Zhang, Shi-shen Yan, Y. H. Liu, and X. D. Ma, J. Magn. Magn. Mater. 139 (1995) 139.

59、 Magnetic properties of amorphous Fe-Si/X (Si,Cu,Pd,Cr) multilayers, Y. H. Liu, X. D. Ma and Shi-shen Yan, Physics, 24 (1995) 371.

60、 Unusual interlayer coupling effect in Fe-Si/Cr multilayers, Y. H. Liu, Y. M. Zhang, Shi-shen Yan and X. D. Ma, Phys. Rev. B 48 (1993) 10266.

61、 Oscillatory variation of magnetization in Fe-Si/Cr multilayers, Y. H. Liu, Shi-shen Yan, X. D. Ma and Y. M. Zhang, J. Magn. Magn. Mater. 126 (1993) 288.

学术交流：

1、中英纳米自旋电子学专题研讨会，英国伦敦，2008年9月8日-12日，Study of diluted and concentrated oxide magnetic semiconductors，Shi-shen Yan，特邀报告。

2、The 2nd WUN International Conference on Spintronic Materials and Technology, 南京，2008 年7月13-16， Controllable magnetic and transport properties of oxide ferromagnetic semiconductors, Shi-shen Yan，特邀报告。

3、第十六届全国半导体物理学术会议与半导体自旋电子学特殊研讨会，兰州，2007 年，宽禁带氧化物磁性半导体的制备、微结构、磁性和输运研究，颜世申，特邀报告。

4、 The 1st Chinese-French Workshop on Quantum Manipulation of Spin in semiconductor, Beijing, 2007，Magnetic semiconductor: from dilute to high concentration of transitional magnetic elements, Shi-shen Yan, 特邀报告。

5、中国物理学会2007年秋季会议，南京，2007年9月，磁性半导体中自旋相关的变程跃迁及其电的磁的相互作用，颜世申，磁学分会特邀报告。

6、2006年北京国际材料周（2006年中国材料研讨会），北京，2006年6月27-30，高含量过渡金属元素的氧化物磁性半导体研究，颜世申，磁性材料分会特邀报告。

7、第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议，天津，2004 年5月27-31日， ZnCoO 磁性半导体研究，颜世申，大会特邀报告。

8、 Systematical study on an ideal model system of soft/hard exchange-coupled NiFe/SmFe bilayers，Shi-shen Yan，2003年海峡两岸磁性物理、材料和应用研讨会， 2003年2月21－25日，海南，博鳌。（大会特邀报告）

荣誉奖励：

1．2008年，山东省自然科学一等奖（第一位），磁性金属和磁性半导体薄膜的自旋和输运调控。

2．1997-2000年，洪堡学者，德国于利希研究中心。

3．2005-2007年，入选教育部新世纪优秀人才计划。

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