教学情况：

为本科生和研究生开设的课程有：《量子力学》、《量子统计和多体问题》、《数学物理方程》、《半导体器件原理》、《固体物理学》、《集成电路物理基础》、《 VLSI 器件物理》等。

并在近些年来培养了八名博士和二十多名硕士，荣获2001年上海市育才奖。

科学研究：

20世纪60年代， 曾从事“量子统计和多体问题”方面的教学和科研工作。其授课课程有《量子力学》、 《量子统计和多体问题》、《数学物理方程》等。他曾参与我国第一本《量子力学》教科书的编写工作。从70年代开始，他又进入到半导体工艺、半导体器件和集成电路方面的研究工作中，参与了晶体管大电流特性，EDMOS基准电压源，BI-CMOS工艺，小尺寸MOS器件模型等研究工作，得到了退火条件对离子注入再分布影响的解析模型，并建立了能说明亚微米MOS场效应管短沟道效应及亚阈值特性的阈值电压解析模型。他曾主持复旦大学微电子学科国家“六五”和“七五”攻关项目，并获得电子工业部颁发的“七五攻关”有突出贡献人员证书。同时，作为一名教师，他还为微电子专业的本科生和研究生开设了相关的学习课程：《半导体器件原理》、《固体物理学》、《集成电路物理基础》与《VLSI器件物理》等。90年代以来， 将研究工作的重点转到了新兴的边缘学科和交叉学科——集成铁电学和集成铁电技术方面，分别开展了PZT、SBT、BST、BLT、SBTi、BFO等铁电薄膜制备技术、特性，铁电器件及其应用的研究工作。他研究了集成铁电薄膜电容的形成技术以及刻蚀技术，开展了铁电不挥发存储器 FeRAM单元和单管单元MFIS及不挥发逻辑电路等的研究，并通过大量的国际交流合作开展了新型相变不挥发存储器（PCM ）的研制工作。

在我国微电子学领域辛勤奋斗了几十年， 完成了国家自然科学基金、上海市应用物理中心基金、“863”高科技、国防科技预研、博士点基金等多个项目的研究工作。

论文专著：

在国内外学术刊物和国际会议上共发表过论文200余篇。他曾与人合著出版专著一部，合作译著三本，分别是:《双极和MOS型半导体器件原理》(复旦大学出版社，1990年)，《半导体器件的分析和模拟》(上海科学技术文献出版社，1986年)，《Solid State Electronic Devices 》（复旦大学出版社，2003年）与《Application－Specific Integrated Circuits》（电子工业出版社，2004年）。他还主编了《第一届国际ASIC会议论文集》(电子工业出版社，1994年)，《第二届国际ASIC会议论文集》(上海科技出版社，1996年)，《第三届国际ASIC会议论文集》(电子工业出版社，1998年)，《第四届国际ASIC会议论文集》(邮电出版社，2001年)，《第五届国际ASIC会议论文集》(IEEE出版社，2003年)，《第六届国际ASIC会议论文集》（IEEE出版社， 2005年），《第七届国际ASIC会议论文集》（IEEE出版社，2007年），《第八届国际ASIC会议论文集》（IEEE出版社，2009年）等。

发表论文（部分）：

1. 亚微米MOS场效应管的完全解析二维模型 汤庭鳌 C.A.Paz de Araujo 半导体学报 1992年 第09期

2. 用数值法分析TF-SOI-MOS管沟道区的电势分布 汤庭鳌 郑大卫 黄宜平 C.A.Paz de Araujo 半导体学报 1992年 第12期

3. 一种基于电荷法模型的亚阈值电流分析方法 牛国富 汤庭鳌 Carlos A.Paz de Araujo ... 固体电子学研究与进展 1993年 第01期

4. SOI/MOSFET Kink效应的模拟和分析 王晓晖 汤庭鳌 郑大卫 黄宜平 C.A.Pazde Araujo ... 固体电子学研究与进展 1993年 第03期

5. 3DG56正向自动增益控制晶体管f_T的电流特性分析许庆云 汤庭鳌 半导体技术 1982年 第06期

6. 离子注入退火过程中高浓度砷硼再分布扩散的一种新的解析模型 汤庭鳌 Carlos Araujo 半导体学报 1987年 第02期

7. 适用于获得砷硼浅结的快速热退火解析模型 汤庭鳌 C.A.PazdeAraujo 复旦学报(自然科学版) 1987 年 第03期

8. 用于VHSIC的低缺陷无“鸟嘴”等平面氧化物隔离技术 高明辉 汤庭鳌 吴苏华 半导体技术 1988年 第03期

9. 硼离子注入退火过程对表面迁移率及薄层电阻的影响 汤庭鳌 卡洛斯•艾劳休李倩 固体电子学研究与进展 1988年 第01期

10. 适用于亚微米沟道MO SFET的阈值电压解析模型 汤庭鳌 Carlos Araujo 陈登元 章倩苓 半导体学报 1988年 第05期

11. 硅中高浓度注入的硼砷离子在热氧化中的再分布 汤庭鳌 C.A.Paz de Araujo 复旦学报(自然科学版) 1988年第03期

12. 短沟道MOS FET亚阈值电流的解析模型陈登元 汤庭鳌 C.A.Paz de Araujo 半导体学报 1989年 第 07期

13. 双离子注入短沟道MOS FET的阈值电压解析模型 汤庭鳌 陈登元 Carlos Araujo 半导体学报 1989 年第11期

14. 中性空位引起的本征扩散对硅中注入砷离子在退火过程中再分布的影响 汤庭鳌 郑大卫 C.A.Paz de Araujo 半导体学报 1990年 第08期

15. 国外半导体发展的一些动向 汤庭鳌 半导体技术 1991年第03期

16. 硅线性升温快速热处理氧化动力学模型 汤庭鳌 C.A.Paz de Araujo 半导体学报 1991年 第11期

17. MOS场效应管的新的电流公式 汤庭鳌 王晓晖 郑大卫 半导体学报 1994年 第10期

18. 双栅MOS场效应管精确的二维电势分布与V_（th）的解析模型 王晓晖 汤庭鳌 黄宜平 固体电子学研究与进展 1994年 第04期

19. 多孔硅的微观结构及其氧化特性 黄宜平 郑大卫 李爱珍 汤庭鳌 崔堑 张翔九 ... 半导体学报 1995年 第01期

20. 大力推动ASIC的发展──第一届国际ASIC会议的启示 汤庭鳌 地质科技管理 1995年第04期

21. 铁电薄膜的特性、制备及应用 汤庭鳌 半导体技术 1996年第06期

22. 硅基铁电薄膜的制备和特性研究 陈峥 汤庭鳌 半导体学报 1996年第10期

23. 精确的短沟MOSFET电路模型及参数提取王晓晖 汤庭鳌 固体电子学研究与进展 1996年 第04期

24. 新型不挥发非破坏性读出铁电存储器(MFS) 颜雷 黄维宁 姜国宝 汤庭鳌 微电子技术 1998年 第03 期

25. 集成铁电电容的制备和研究 姚海平 钟琪 黄维宁 姜国宝 洪晓菁 汤庭鳌 ... 半导体技术 1999年 第04期

26. Sol-Gel法制备的铁电薄膜和Pt/Ti下电极的反应离子刻蚀技术陈峥 汤庭鳌 邹斯洵 半导体学报 1999年 第02期

27. 一种极低码率视频压缩编码算法的VLSI结构江科 章倩苓 汤庭鳌 电子学报 1999年 第11期

28. 铁电存储单元的设计和测试 洪晓菁 俞承芳 虞惠华 汤庭鳌 姚海平 李宁 ... 固体电子学研究与进展 1999年 第01期

29. 半导体封装材料供应链 虞惠华 汤庭鳌 集成电路应用 2002年第09期

30. MFIS结构的C-V特性 颜雷 汤庭鳌 黄维宁 姜国宝 钟琪 汤祥云 ... 半导体学报 2000年第12期

31. 铁电电容的电极结构 姜国宝 黄维宁 汤庭鳌 固体电子学研究与进展 2000年 第03期

32. 用于MFIS的ZrO_2薄膜的制备及特性研究 颜雷 汤庭鳌 黄维宁 姜国宝 固体电子学研究与进展 2000年 第04期

33. 用于MFIS的铁电薄膜刻蚀技术研究颜雷 黄维宁 姜国宝 汤庭鳌 程旭 钟琪 ... 微电子学 2000年 第01期

34. 铁电存储器制备中关键工艺的改进 钟琪 林殷茵 汤庭鳌 微电子学 2000年第05期

35. 二氧化锡薄膜的电阻气敏和光透射率气敏性能 林殷茵 汤庭鳌 黄维宁 姜国宝 姚熹 无机材料学报 2000年 第06期

36. 虚拟仪器在存储元件记忆特性测试中的应用 俞承芳 虞惠华 汤庭鳌 半导体技术 2001年第04期

37. 基于CPLD的通用并行接口设计俞承芳 虞惠华 汤庭鳌 半导体技术 2001年 第10期

38. 二氧化锡薄膜的MOD法制备和表征林殷茵 汤庭鳌 姚熹 功能材料 2001年 第03期

39. 用于铁电存储器的PZT薄膜的制备与性能林殷茵 汤庭鳌 黄维宁 宋浩然 固体电子学研究与进展 2001年 第02期

40. 一种4k位串行铁电不挥发存储器的VLSI实现 汤祥云 王岸如 程旭 汤庭鳌 微电子学 2001年 第04 期

41. 铁电电容模型及其在铁电存储器中的应用 王岸如 汤庭鳌 程旭 汤祥云 微电子学 2001年 第06期

42. 应用于非破坏性读出铁电存储器的MFIS FET制备及其特性 颜雷 林殷茵 汤庭鳌 黄维宁 姜国宝 半导体学报 2002年 第03期

43. 新型铁电不挥发性逻辑电路的分析和实现 汤庭鳌 陈登元 汤祥云 程君侠 虞惠华 半导体学报 2002年 第11期

44. Pb(Zr_(0.6)Ti_(0.4))O_3/LaNiO_3铁电电容的制备及其疲劳特性康晓旭 林殷茵 汤庭鳌 王晓光 钟宇 黄维宁 ... 半导体学报 2003年第06期

45. LNO薄膜电极的制备及其特性研究 康晓旭 林殷茵 汤庭鳌 钟宇 黄维宁 姜国宝 ... 功能材料 2003 年 第03期

46. 铁电存储器中Pb(Zr,Ti)O_3集成铁电电容的制备黄维宁 姜国宝 林殷茵 汤庭鳌 固体电子学研究与进展 2003年 第01期

47. 用于非破坏性读出铁电存储器的MFIS结构的机理研究林殷茵 汤庭鳌 固体电子学研究与进展 2003 年 第03期

48. 铁电存储器在FPGA中应用的初步研究严杰锋 林茵殷 汤庭鳌 程旭 微电子学 2003年 第06期

49. La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3的化学溶液淀积法制备与表征及其应用 钟宇王晓光 林殷茵 黄维宁 汤庭鳌 固体电子学研究与进展 2005年 第02期

50. DES密码电路的抗差分功耗分析设计 韩军 曾晓洋 汤庭鳌 半导体学报 2005年第08期

51. 一种新的铁电电容模型及其在1T/1C FeRAM中的应用 程旭 汤庭鳌 王晓光 钟宇 康晓旭 固体电子学研究与进展 2004年 第01期

52. Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)薄膜的化学溶液淀积方法制备及表征王晓光 林殷茵 汤庭鳌 半导体技术 2004年 第03期

53. 铁电非挥发逻辑的设计和应用 程旭 汤庭鳌 钟宇 王晓光 康晓旭 固体电子学研究与进展 2004年 第04期

54. PZT悬臂梁结构的优化设计 黄聪 林殷茵 汤庭鳌 固体电子学研究与进展 2004年 第04期

55. 镧掺杂对PZT铁电薄膜漏电学特性的影响程继 林殷茵 汤庭鳌 功能材料 2004年 第06期

56. 一种MFIS类结构的阈值电压新模型及其C—V特性分析 陈园琦 林殷茵 汤庭鳌 夏立 复旦学报(自然科学版) 2005年 第01期

57. 溶胶-凝胶法制备BiFeO_3铁电薄膜的结构和特性 杨彩霞 林殷茵 汤庭鳌 功能材料 2005年第03期

58. 基于C-V,I-V,Q-V特性的铁电电容新模型陈小明 汤庭鳌 半导体学报 2005年 第05期

59. 相变存储器的高可靠性多值存储设计 洪洋 林殷茵 汤庭鳌 Bomy Chen 复旦学报(自然科学版) 2006年 第01期

60. RSA密码算法的功耗轨迹分析及其防御措施 韩军 曾晓洋 汤庭鳌 计算机学报 2006年第04期

61. 高速抗噪声CMOS动态电路设计(英文) 赖练章 汤庭鳌 林殷茵 半导体学报 2006年 第06期

62. 氮掺杂Ge_2Sb_2Te_5相变存储器的多态存储功能赖云锋 冯洁 乔保卫 凌云 林殷茵 汤庭鳌 ... 物理学报 2006年第08期

63. 基于时间随机化的密码芯片防攻击方法 韩军 曾晓洋 汤庭鳌 计算机工程 2007年第02期

64. 集成模乘求逆双重运算的抗攻击RSA协处理器韩军 曾晓洋 陆荣华 赵佳 汤庭鳌 小型微型计算机系统 2007年 第04期

65. 相变存储器多态存储方法 刘欣 周鹏 林殷茵 汤庭鳌 赖云峰 乔保卫 ... 复旦学报(自然科学版) 2008年 第01期

66. 工艺条件对PZT薄膜界面层电容的影响费瑾文 汤庭鳌 半导体技术 2008年 第10期

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