张国义——北京大学教授

论文专著：

申请国家发明专利20多项，发表论文100多篇。

1. Ⅲ—Ⅴ氮化物与蓝光LEDs(Ⅰ) 张国义 刘弘度王舒民应用基础与工程科学学报 1995年第01期

2. Ⅲ—Ⅴ氮化物与蓝光LEDs(Ⅱ) 张国义 刘弘度王舒民应用基础与工程科学学报 1995年第04期

3. 在蓝宝石衬底上低压MOVPE生长GaN单晶党小忠 张国义 童玉珍王舒民半导体光电 1996年第01期

4. LP－MOCVD生长InGaN单晶薄膜童玉珍 张国义 徐自亮党小忠杨志坚金泗轩半导体光电 1996年第02期

5. 低压MOVPE外延生长GaN膜的光致发光激发谱研究段家张伯蕊秦国刚 张国义 童玉珍金泗轩 ... 半导体学报 1996年第08期

6. MOCVD生长GaN的喇曼散射谱童玉珍 张国义 徐自亮党小忠王晶晶金泗轩 ... 红外与毫米波学报 1996年第01期

7. 低压MOCVD生长GaN p-n结蓝光LED 张国义 杨志坚金泗轩党小忠物理 1997年第06期

8. 氮化物半导体GaN的光辅助湿法腐蚀章蓓黄其煜周大勇戴伦 张国义 半导体学报 1998年第09期

9. GaN蓝光二极管杂质发光的近场光谱研究凌勇周赫田朱星黄贵松党小忠 张国义 ... 半导体学报 1999年第04期

10. 用MOCVD在ZnO/Al_2O_3衬底上生长GaN及其特性毛祥军杨志坚李景屈建勤 张国义 半导体学报 1999年第08期

11. 利用近场光谱研究GaN蓝光二极管的杂质发光凌勇周赫田朱星黄贵松党小忠 张国义 ... 电子显微学报 1999年第01期

12. GaN光学微盘的显微荧光图像探讨王国忠章蓓钱怡 张国义 胡晓东发光学报 1999年第01期

13. GaN薄膜的微区Raman散射光谱童玉珍 张国义 MingS.Liu L.A.Bursill 半导体学报 2000年第06期

14. InGaN混溶隙的计算童玉珍陈英勇 张国义 半导体学报 2000年第07期

15. GaN发光二极管的负电容现象沈君王存达杨志坚秦志新童玉珍 张国义 ... 发光学报 2000年第04期

16. 蓝光LED InGaN有源区的制备及其发光特性研究童玉珍李非杨志坚金泗轩丁晓民 张国义 ... 光电子.激光 2000年第02期

17. 金属有机化合物气相外延生长GaN薄膜的电子微结构研究程立森张泽杨志坚童玉珍 张国义 物理 2000年第01期

18. 高浓度Mg掺杂GaN的电学和退火特性研究童玉珍李非杨志坚 张国义 半导体光电 2001年第02期

19. 应用Mg离子注入获得高表面空穴载流子浓度P-型GaN(英文) 龙涛杨志坚 张国义 北京大学学报(自然科学版) 2001年第05期

20. 高N_2气流下在GaAs(001)上用MBE法生长InN(英文) 秦志新陈志忠 张国义 发光学报 2001年第03期

21. 用Mg离子注入提高p型GaN的空穴浓度(英文) 杨志坚龙涛 张国义 发光学报 2001年第S1期

22. InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱(英文) 陈志忠秦志新杨志坚童玉珍丁晓民 张国义 ... 发光学报 2001年第S1期

23. MOCVD生长的InGaN薄膜中InN分凝的研究(英文) 秦志新陈志忠童玉珍陆曙 张国义 发光学报 2001年第S1期

24. X射线分析氢化物汽相外延法生长GaN薄膜(英文) 周劲杨志坚唐英杰 张国义 发光学报 2001年第S1期

25. GaN基白光LED的研制与特性(英文) 唐英杰王宇方杨志坚 张国义 发光学报 2001年第S1期

26. 采用N_2-RF等离子体氮化GaAs(001)(英文) 秦志新陈志忠周建辉 张国义 发光学报 2002年第02期

27. 氮化蓝宝石衬底上GaN薄膜的微结构与光学性质陈志忠秦志新沈波朱建民郑有炓 张国义 ... 发光学报 2002年第02期

28. In_(0.5)(Ga_(1-x)Al_x)_(0.5)P合金的掺杂生长特性李忠辉丁晓民于彤军杨志坚胡晓东 张国义 ... 发光学报 2002年第05期

29. 高亮度InGaN基白光LED特性研究李忠辉丁晓民杨志坚于彤军 张国义 红外与毫米波学报 2002年第05期

30. 一种精确检测半导体二极管正向电特性的新方法王存达曾志斌 张国义 沈君朱传云半导体学报 2003年第12期

31. TiAl_3和Ti/TiAl_3非合金化电极n型GaN欧姆接触的实现明帆林红斌胡成余秦志新陈志忠 张国义 ... 发光学报 2005年第03期

32. 白光LED的加速老化特性林亮陈志忠陈挺童玉珍秦志新 张国义 发光学报 2005年第05期

33. GaN基外延膜的激光剥离和InGaNLD外延膜的解理黎子兰胡晓东章蓓陈科聂瑞娟 张国义 ... 激光技术 2004年第01期

34. AlGaN/GaN/InGaN对称分别限制多量子阱激光器的优化设计(英文) 陆敏方慧智 张国义 半导体学报 2004年第05期

35. InGaN/GaN多量子阱热退火的拉曼光谱和荧光光谱吕国伟唐英杰李卫华黎子兰 张国义 杜为民 ... 光谱学与光谱分析 2005年第01期

36. 高反射率p-GaN欧姆接触电极康香宁章蓓胡成余王琦陈志忠 张国义 ... 发光学报 2006年第01期

37. Al组分对Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中二维电子气输运性质的影响(英文) 唐宁沈波王茂俊杨志坚徐科 张国义 ... 半导体学报 2006年第02期

38. 极化电场对Al_xGa_(1-x)N/GaN双量子阱中子带间跃迁的光学性质的影响(英文) 雷双英沈波许福军杨志坚徐柯 张国义 ... 半导体学报 2006年第03期

39. GaN基紫光LED的可靠性研究商树萍于彤军陈志忠 张国义 材料研究学报 2006年第02期

40. GaN基白光LED的结温测量陈挺陈志忠林亮童玉珍秦志新 张国义 ... 发光学报 2006年第03期

41. GaN基LED电流扩展的有限元模型及电极结构优化潘华璞黄利伟李睿林亮陈志忠 张国义 ... 发光学报 2007年第01期

42. 高亮度白光LED用外延片的新进展 张国义 陆敏陈志忠物理 2007年第05期

43. 从不纯样品的光谱中提取单一组分和结构的拉曼谱高敏刘伟杨军涛张树霖郭辉 张国义 ... 光谱学与光谱分析 2007年第05期

44. 用卢瑟福背散射/沟道技术及高分辨X射线衍射技术分析不同Al和In含量的AlInGaN薄膜的应变王欢姚淑德潘尧波 张国义 物理学报 2007年第06期

45. GaN基大功率倒装焊蓝光LED的I-V特性研究林亮陈志忠童玉珍于彤军秦志新 张国义 ... 半导体光电 2007年第06期

46. 307~325nm波长AlGaN基紫外光探测器岑龙斌桑立雯周绪荣秦志新 张国义 半导体光电 2007年第06期

47. Al_xGa_(1-x)N/GaN双量子阱的结构和掺杂浓度对子带间跃迁波长和吸收系数的影响雷双瑛沈波 张国义 物理学报 2008年第04期

48. 铟对GaN基激光器晶体质量的影响廖辉杨志坚 张国义 胡晓东半导体光电 2008年第03期

49. GaMnN材料红外光谱中洛伦兹振子模型的遗传算法研究程兴华唐龙谷陈志涛龚敏于彤军 张国义 ... 物理学报 2008年第09期

50. 圆锥反光面与抛物面反光面组成的边发射型LED及其在LCD背光源中的应用易业文陈志忠于彤军秦志新何仲恺 张国义 ... 液晶与显示 2008年第04期

51. InGaN蓝光与CdTe纳米晶基白光LED 易觉民李红博唐芳琼宋振阳杨志坚 张国义 ... 发光学报 2008年第06期